ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=6 V, Id=50 A, 3针, TO-252, RD3P07BBH系列

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RS 库存编号:
266-3848
制造商零件编号:
RD3P07BBHTL1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

6V

包装类型

TO-252

系列

RD3P07BBH

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

7.7mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

89W

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

38nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS, Pb-Free Plating

汽车标准

ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率封装,适用于切换。

无铅镀层

符合 RoHS 标准

无卤素

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