ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=6 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3R05BBHTL1, RD3R05BBH系列
- RS 库存编号:
- 266-3854
- 制造商零件编号:
- RD3R05BBHTL1
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥51.12
(不含税)
¥57.76
(含税)
有库存
- 2,300 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB25.56 | RMB51.12 |
| 50 - 98 | RMB23.04 | RMB46.08 |
| 100 - 248 | RMB18.855 | RMB37.71 |
| 250 - 998 | RMB18.505 | RMB37.01 |
| 1000 + | RMB13.565 | RMB27.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 266-3854
- 制造商零件编号:
- RD3R05BBHTL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 6V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | RD3R05BBH | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 29mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 89W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37nC | |
| 正向电压 Vf | 150V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 6V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 RD3R05BBH | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 29mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 89W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC | ||
正向电压 Vf 150V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率封装,适用于切换。
无铅镀层
符合 RoHS 标准
无卤素