ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=6 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3R02BBHTL1, RD3R02BBH系列
- RS 库存编号:
- 266-3852
- 制造商零件编号:
- RD3R02BBHTL1
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥67.47
(不含税)
¥76.24
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月06日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB13.494 | RMB67.47 |
| 50 - 95 | RMB12.124 | RMB60.62 |
| 100 - 245 | RMB9.688 | RMB48.44 |
| 250 - 995 | RMB9.492 | RMB47.46 |
| 1000 + | RMB6.60 | RMB33.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 266-3852
- 制造商零件编号:
- RD3R02BBHTL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 6V | |
| 系列 | RD3R02BBH | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 81mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 6V | ||
系列 RD3R02BBH | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 81mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.4nC | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率封装,适用于切换。
无铅镀层
符合 RoHS 标准
无卤素