Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=174 A, 4针, PowerPAK (8x8L), SIJH系列
- RS 库存编号:
- 268-8324
- 制造商零件编号:
- SIJH5700E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 268-8324
- 制造商零件编号:
- SIJH5700E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 174A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | PowerPAK (8x8L) | |
| 系列 | SIJH | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0041Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 7.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 174A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 PowerPAK (8x8L) | ||
系列 SIJH | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0041Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 7.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N 通道 TrenchFET 5 代功率 MOSFET 是完全无铅设备。它可用于诸如同步整流、电动机驱动控制、电池管理等应用。
优势数字非常低
符合 ROHS 标准
100% UIS 测试
相关链接
- Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=174 A, 4针, PowerPAK (8x8L), SIJH系列
- Vishay N沟道增强型单MOSFET, Vds=72 V, Id=87 A, 8针, PowerPAK, SQS174ELNW系列
- Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=277 A, 4针, 8x8L, SIJH系列
- Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=437 A, 4针, PowerPAK (8x8L), TrenchFET系列
- Vishay N沟道增强型单MOSFET, Vds=150 V, Id=144 A, 8针, PowerPAK, SIRS5700DP系列
- Vishay N沟道耗尽型MOSFET, Vds=60 V, Id=37 A, 4针, PowerPAK (8x8L)
- Vishay N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=299 A, 4针, PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V系列
- Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=-40 V, Id=141 A, 8针, PowerPAK 1212-8