Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 128 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiRA54ADP-T1-RE3, SiRA系列

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268-8338
制造商零件编号:
SiRA54ADP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

128A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

SiRA

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0022Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7nC

最大功耗 Pd

65.7W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

5.15mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N 通道 TrenchFET 一代 4 功率 MOSFET 是无铅和卤素设备。它是单配置器件,可用作同步整流和电动机驱动控制的应用。

符合 ROHS 标准

100% UIS 测试