Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 8.8 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SIS112LDN-T1-GE3, SIS系列
- RS 库存编号:
- 268-8340
- 制造商零件编号:
- SIS112LDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB4.387 | RMB109.68 |
| 50 - 75 | RMB4.301 | RMB107.53 |
| 100 - 225 | RMB3.274 | RMB81.85 |
| 250 - 975 | RMB3.211 | RMB80.28 |
| 1000 + | RMB2.152 | RMB53.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8340
- 制造商零件编号:
- SIS112LDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 系列 | SIS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.119Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 19.8W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8.8A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
系列 SIS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.119Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.8nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 19.8W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N 通道 TrenchFET 一代 4 功率 MOSFET 是单配置 MOSFET。它无铅和无卤,可用作主侧开关、电动机驱动开关和升压转换器。
调整为最低功能数字
符合 ROHS 标准
100% UIS 测试