制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=8.8 A, 8针, PowerPAK 1212-8, SIS系列

RS 库存编号:: 268-8340
制造商零件编号:: SIS112LDN-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=8.8 A, 8针, PowerPAK 1212-8, SIS系列

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100 - 225	RMB3.642	RMB91.05
250 - 975	RMB3.571	RMB89.28
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RS 库存编号:: 268-8340
制造商零件编号:: SIS112LDN-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	8.8A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	SIS
	包装类型	PowerPAK 1212-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.119Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	19.8W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	11.8nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	长度	3.3mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 8.8A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 SIS
	包装类型 PowerPAK 1212-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.119Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 19.8W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.8nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	长度 3.3mm
	汽车标准否

Datasheet - SIS112LDN-T1-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay N 通道 TrenchFET 一代 4 功率 MOSFET 是单配置 MOSFET。它无铅和无卤,可用作主侧开关、电动机驱动开关和升压转换器。

调整为最低功能数字

符合 ROHS 标准

100% UIS 测试

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

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