Vishay 双N沟道增强型MOSFET, 4个元件/芯片, Vds=60 V, Id=6 A, 8针, PowerPAK 1212-8, SIS9634LDN系列

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RS 库存编号:
268-8344
制造商零件编号:
SIS9634LDN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

双N

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK 1212-8

系列

SIS9634LDN

安装类型

表面

引脚数目

8

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

60V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS, UIS tested 100 percent

每片芯片元件数目

4

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 双 N 通道 TrenchFET 4 代功率 MOSFET 是完全无铅和无卤设备。它经过优化,比率可减少与切换相关的功率损耗,并可用于同步整流、电动机驱动对抗等应用

符合 ROHS 标准

100% UIS 测试

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