Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 26.2 A, PowerPAK 1212-8S, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 268-8349
- 制造商零件编号:
- SISS5710DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB14.244 | RMB71.22 |
| 50 - 95 | RMB12.848 | RMB64.24 |
| 100 - 245 | RMB10.334 | RMB51.67 |
| 250 - 995 | RMB10.13 | RMB50.65 |
| 1000 + | RMB8.284 | RMB41.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8349
- 制造商零件编号:
- SISS5710DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 26.2 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 封装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 26.2 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
封装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 硅 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N 通道 TrenchFET 5 代功率 MOSFET 是无铅和卤素设备。它可用于应用,如同步整流、电动机驱动控制、电源。
优势数字非常低
符合 ROHS 标准
100% UIS 测试
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