Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, IRF7351TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 273-2805
- 制造商零件编号:
- IRF7351TRPBF
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 4000 件）*
¥18,956.00
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¥21,420.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 + | RMB4.739 | RMB18,956.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2805
- 制造商零件编号:
- IRF7351TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 17.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 17.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
这款 Infineon MOSFET 是一种 60V N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET。这种 MOSFET 可用于低功率电机驱动系统和隔离式直流到直流转换器。
超低栅极阻抗
20V VGS 最大栅极额定值
完全特性化雪崩电压和电流