Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 50 A, TO-252, 通孔安装, 3引脚, IPD系列
- RS 库存编号:
- 273-3004
- 制造商零件编号:
- IPD079N06L3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-3004
- 制造商零件编号:
- IPD079N06L3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 50nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 6.223mm | |
| 宽度 | 6.731 mm | |
| 长度 | 10.48mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 50nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 6.223mm | ||
宽度 6.731 mm | ||
长度 10.48mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 是开关模式电源中的同步整流的完美选择,例如服务器、台式机和平板电脑充电器中的电源。此外,这些设备可用于广泛的工业应用
最高系统效率
需要更少的并行
功率密度增加