制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=36.23 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

RS 库存编号:: 273-3020
制造商零件编号:: IPP65R060CFD7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=36.23 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

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RS 库存编号:: 273-3020
制造商零件编号:: IPP65R060CFD7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	36.23A
	最大漏源电压 Vd	700V
	包装类型	PG-TO220-3
	系列	IPP
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	60mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	171W
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	68nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC, RoHS

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 36.23A
	最大漏源电压 Vd 700V
	包装类型 PG-TO220-3
	系列 IPP
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 60mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 171W
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC, RoHS

Datasheet - IPP65R060CFD7XKSA1

Infineon 650V 冷 MOS CFD7 超级接线 MOSFET 采用 TO-220 封装,特别适用于工业应用中的共振拓扑,如服务器、电信、太阳能和 EV 充电站,在这些应用中,它可显著提高效率

出色的硬切换坚固性

额外的安全空间,用于带有增加总线电压的设计

启用更高的功率密度

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