制造商编号

Infineon P型沟道增强型P沟道, Vds=60 V, Id=1.9 A, 3针, PG-SOT223, ISP系列

RS 库存编号:: 273-3042
制造商零件编号:: ISP26DP06NMSATMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型P沟道, Vds=60 V, Id=1.9 A, 3针, PG-SOT223, ISP系列

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RS 库存编号:: 273-3042
制造商零件编号:: ISP26DP06NMSATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	P沟道
	最大连续漏极电流 Id	1.9A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	PG-SOT223
	系列	ISP
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	260mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最大功耗 Pd	5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	10.8nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS, IEC61249-2-21
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 P沟道
	最大连续漏极电流 Id 1.9A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 PG-SOT223
	系列 ISP
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 260mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最大功耗 Pd 5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.8nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21
	汽车标准否

Datasheet - ISP26DP06NMSATMA1

Infineon P 通道 MOSFET 在正常和逻辑级别,可减少中低功率应用中的设计复杂性。

易于接口到 MCU

快速切换

雪橇坚固性

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