Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 56.7 A, SO-8L, 表面安装, 7引脚, SIJ4108DP-T1-GE3, SIJ系列
- RS 库存编号:
- 279-9934
- 制造商零件编号:
- SIJ4108DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 4 件）*
¥55.88
(不含税)
¥63.16
(含税)
有库存
- 6,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | RMB13.97 | RMB55.88 |
| 60 - 96 | RMB13.328 | RMB53.31 |
| 100 - 236 | RMB11.88 | RMB47.52 |
| 240 - 996 | RMB11.668 | RMB46.67 |
| 1000 + | RMB11.453 | RMB45.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9934
- 制造商零件编号:
- SIJ4108DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 56.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | SIJ | |
| 包装类型 | SO-8L | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.009Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 69.4W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 40nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5.13mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 56.7A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 SIJ | ||
包装类型 SO-8L | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.009Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 69.4W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 40nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5.13mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
完全无铅 (Pb) 的器件
极低 RDS x Qg 品质因数
100% 通过 Rg 和 UIS 测试