Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=60.6 A, 8针, SO-8, SiR系列
- RS 库存编号:
- 279-9939
- 制造商零件编号:
- SIR4409DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB14,727.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB4.909 | RMB14,727.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9939
- 制造商零件编号:
- SIR4409DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | SiR | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.009Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 126nC | |
| 最大功耗 Pd | 59.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60.6A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 SiR | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.009Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 126nC | ||
最大功耗 Pd 59.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 5.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET 是一种 P 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
新一代功率 MOSFET
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完全无铅 (Pb) 的器件
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