制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 8针, SO-8, SiR系列

RS 库存编号:: 279-9958
制造商零件编号:: SIR638ADP-T1-UE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 8针, SO-8, SiR系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 4 件）*

RMB115.54

(不含税)

RMB130.56

(含税)

有库存

另外 5,992 件在 2026年9月14日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
4 - 56	RMB28.885	RMB115.54
60 - 96	RMB28.353	RMB113.41
100 - 236	RMB27.828	RMB111.31
240 - 996	RMB27.30	RMB109.20
1000 +	RMB26.768	RMB107.07

* 参考价格

RS 库存编号:: 279-9958
制造商零件编号:: SIR638ADP-T1-UE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	SiR
	包装类型	SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.00088Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	104W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	165nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	长度	5.15mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 SiR
	包装类型 SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.00088Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 104W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 165nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	长度 5.15mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIR638ADP-T1-UE3

Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

完全无铅 (Pb) 的器件

极低 RDS x Qg 品质因数

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

相关链接