Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=440 A, 8针, SO-8, SIRS系列

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RS 库存编号:
279-9964
制造商零件编号:
SIRS4400DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

440A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SO-8

系列

SIRS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00069Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

295nC

最大功耗 Pd

240W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

5mm

汽车标准

否

Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

完全无铅 (Pb) 的器件

极低 RDS x Qg 品质因数

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

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