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Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=34 A, 8针, 1212-8, SIS9446DN系列

Name: Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=34 A, 8针, 1212-8, SIS9446DN系列
Brand: Vishay
SKU: 279-9977
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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	34A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	1212-8
	系列	SIS9446DN
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	40V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 34A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 1212-8
	系列 SIS9446DN
	安装类型表面
	引脚数目 8
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 40V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

Vishay MOSFET 是双 N 通道 MOSFET，其中的晶体管由称为硅的材料制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

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减少与开关相关的功率损耗

完全无铅 (Pb) 的器件

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