Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=162 A, 8针, 1212-8S, SISS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
279-9999
制造商零件编号:
SISS52DN-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

162A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

SISS

包装类型

1212-8S

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0012Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

65nC

最大功耗 Pd

57W

最高工作温度

150°C

长度

3.3mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay MOSFET 是 N 通道 MOSFET，其中的晶体管由称为硅的材料制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

完全无铅 (Pb) 的器件

极低 RDS x Qg 品质因数

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

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