Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 166 A, SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ162EP-T1_GE3, SQJ162EP系列
- RS 库存编号:
- 280-0019
- 制造商零件编号:
- SQJ162EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 100 - 245 | RMB7.952 | RMB39.76 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 280-0019
- 制造商零件编号:
- SQJ162EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 166A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SQJ162EP | |
| 包装类型 | SO-8L | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.005Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 166A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SQJ162EP | ||
包装类型 SO-8L | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.005Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
AEC-Q101 认证
完全无铅 (Pb) 的器件