Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=60 V, Id=50 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRFZ48R系列

RS 库存编号:: 281-6035
Distrelec 货号:: 171-17-666
制造商零件编号:: IRFZ48RPBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=60 V, Id=50 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRFZ48R系列

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RS 库存编号:: 281-6035
Distrelec 货号:: 171-17-666
制造商零件编号:: IRFZ48RPBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	50A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	IRFZ48R
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.018Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	110nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	2V
	最大功耗 Pd	190W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 50A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 IRFZ48R
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.018Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 2V
	最大功耗 Pd 190W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IRFZ48RPBF

COO (Country of Origin):: CN

Vishay IRFZ48R系列功率MOSFET,60 V漏源电压,50 A连续漏电流 - IRFZ48RPBF

这款功率 MOSFET 是一款通孔 N 通道增强装置,专为工业电子系统中的开关和放大任务而设计。它可在中等电压范围内工作,适用于需要强大的耐热性和大电流处理的应用,采用TO‐220AB封装。

特性和优点：

• 60 V 最大漏源电压,适用于中等电压电路 • 50 A 连续漏电流,适用于重负载切换 • 0.018Ω Rds(on) 可减少传导损耗 • 190W 功耗,可实现持久功率处理 • 110nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为 • 适用于高温环境的最高接点温度为175°C

应用

• 适用于自动化系统中的电机驱动级 • 适用于工业设备中的电源开关元件 • 用于配电模块的负载切换 • 可用于机械控制系统中的高电流开关

快速切换需要考虑哪些栅极驱动因素?

使用能够提供足够峰值电流的驱动器快速充电 110nC,并遵守 20V 最大栅极源额定值,以避免过度驱动。

热管理对连续运行有何影响?

安装在合适的散热器上,并在计算热阻和占空比时考虑190W的耗散极限和175°C的最大工作温度。

哪些因素决定了PCB与底盘安装的适用性?

通孔 TO‐220AB 格式适用于 PCB 安装和隔离式散热器附件

选择根据热路径和机械应力需求进行安装。

此设备在存储和操作过程中是否可耐受低温环境?

它的额定工作温度低至-55°C,因此确保材料和焊接工艺与较低的温度范围兼容。