Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=60 V, Id=50 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRFZ48R系列

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包装方式:
RS 库存编号:
281-6036
Distrelec 货号:
304-42-108
制造商零件编号:
IRFZ48RPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

IRFZ48R

包装类型

JEDEC TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.018Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

2V

最大功耗 Pd

190W

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

110nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay IRFZ48R 系列功率 MOSFET,60V 最大漏极-源极电压,50A 最大连续漏极电流 - IRFZ48RPBF


这款功率 MOSFET 是一种通孔 N 沟道晶体管,用于工业和商业电子设备中的开关和电源管理。该器件设计为可在宽温度范围内运行,适用于需要高电流处理能力和出色热性能的严苛环境。该器件采用增强型沟道控制,可实现功率电路中的高效导通。

特性和优点:


• 0.018Ω 的低导通电阻可降低导通损耗
• 连续漏极电流高达50A,支持重负载
• 190W 的最大功耗可支持高功率运行
• 60V 的最大漏极-源极电压适用于中压系统
• 110nC 的典型栅极电荷有助于实现可预测的开关特性
• 20V 的栅极-源极额定值提供标准的栅极驱动兼容性

应用


• 用于工业控制器中的电机驱动级
• 适用于 DC-DC 转换器和电源
• 适用于开关模式功率放大电路
• 可用于电池管理和保护系统
• 与高功率模块中的散热器组件配合使用

组装时需要什么安装方法?


该器件采用 TO-220AB 封装,支持通孔安装和常见的散热器连接方式。

在极端环境温度下,其性能如何?


该器件规定可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内运行,即使在严苛的热环境中使用,也无需对基本功能进行降额。

建议考虑哪些栅极驱动因素?


最大栅极-源极电压为 20V

设计人员应相应限制驱动幅度,并在确定栅极驱动器规格时考虑 110nC 的典型栅极电荷。

在高功率设计中应如何进行散热管理?


该器件的最大功耗额定值为 190W,应采用足够的散热器和导热界面材料,并考虑使用 PCB 导热过孔,以将结温维持在规定范围内。

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