STMicroelectronics N/P沟道增强型MOS管, QFN 9, 贴片安装, 31引脚, MASTERG系列
- RS 库存编号:
- 287-7040
- 制造商零件编号:
- MASTERGAN1LTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥137,316.00
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(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB45.772 | RMB137,316.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 287-7040
- 制造商零件编号:
- MASTERGAN1LTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N，P | |
| 系列 | MASTERG | |
| 封装类型 | QFN 9 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 31 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | GaN | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N，P | ||
系列 MASTERG | ||
封装类型 QFN 9 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 31 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 GaN | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
意法半导体微控制器是一种先进的封装电源系统，集成了一个栅极驱动器和两个半桥配置的增强型氮化镓晶体管。集成功率氮化镓的 RDS(ON) 值为 150 mΩ，漏极-源极阻断电压为 650 V，而嵌入式栅极驱动器的高压侧可由集成自举二极管轻松供电。
零反向恢复损耗
VCC 上的 UVLO 保护
内部自举二极管
联锁功能
VCC 上的 UVLO 保护
内部自举二极管
联锁功能