Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=400 V, Id=10 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRF740系列
- RS 库存编号:
- 541-0020
- Distrelec 货号:
- 171-15-835
- 制造商零件编号:
- IRF740PBF
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 件）*
RMB18.14
(不含税)
RMB20.50
(含税)
有库存
- 20 件可立即发货
- 另外 495 件将从其他地点发货
- 另外 1,177 件在 2026年10月14日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB18.14 |
| 25 - 99 | RMB17.84 |
| 100 - 249 | RMB17.39 |
| 250 - 1249 | RMB16.93 |
| 1250 + | RMB13.93 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 541-0020
- Distrelec 货号:
- 171-15-835
- 制造商零件编号:
- IRF740PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 400V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | IRF740 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 550mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 400V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 IRF740 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 550mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 2V | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 4.7mm | ||
长度 10.41mm | ||
高度 9.01mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRF740 系列功率 MOSFET，最大漏源电压 400V，最大功耗 125W - IRF740PBF
该功率MOSFET是一款高压N‑沟道晶体管，专为电力电子领域的开关和放大任务而设计。它可在宽温度范围内工作，并采用通孔TO-220AB封装，支持传统电路板安装与‑散热。该器件支持高漏源电压环境，适用于需要强大开关能力和可控栅极‑驱动要求的场合。
特性和优点：
• 400V漏源额定电压，可实现高‑压开关能力
• 10A 连续漏极电流支持大负载电流
• 125W 功耗，支持持续的热处理
• 550mΩ导通电阻，提供可预测的传导损耗
• 63nC典型栅极电荷，降低了开关驱动能耗
• 20V最大栅源电压，允许使用共栅极‑驱动电压
• 10A 连续漏极电流支持大负载电流
• 125W 功耗，支持持续的热处理
• 550mΩ导通电阻，提供可预测的传导损耗
• 63nC典型栅极电荷，降低了开关驱动能耗
• 20V最大栅源电压，允许使用共栅极‑驱动电压
应用
• 适用于开关‑电源输出级应用
• 适用于高‑压DC‑DC转换器切换
• 用于需要高Vds的工业电机驱动装置
• 可用于电力电子领域的变频器电路
• 适用于通用‑高压‑开关应用
• 适用于高‑压DC‑DC转换器切换
• 用于需要高Vds的工业电机驱动装置
• 可用于电力电子领域的变频器电路
• 适用于通用‑高压‑开关应用
在严苛环境中，它能耐受怎样的温度范围？
该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在广泛的温度条件下使用。
在典型设计中，该器件是如何安装和散热的？
它采用TO-220AB通孔‑封装，可配合标准电子散热器和螺丝进行散热管理和底座安装。
设计人员应注意哪些栅‑极驱动限制？
栅极相对于源极的电压必须保持在 ±20V的最大范围内，以避免损坏并维持正确的增强‑型运行状态。
哪些通道特性会影响开关极性？
它是一款N‑沟道增强型‑器件，这意味着它需要正栅‑源电压才能导通。
相关链接
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 10 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF740PBF, IRF740系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 10 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF740LCPBF, IRF740LC系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 10 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF740APBF, IRF740A系列
- Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 10 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF740APBF, IRF740A系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 8 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF840PBF, IRF840系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 2.5 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF820PBF, IRF820系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 1.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF710PBF, IRF710系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=200 V, 5.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF620PBF, IRF620系列