Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=500 V, Id=2.5 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRF820系列

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包装方式：
RS 库存编号:
543-0002
Distrelec 货号:
301-91-570
制造商零件编号:
IRF820PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

2.5A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

JEDEC TO-220AB

系列

IRF820

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.6V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

50W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

宽度

4.7mm

高度

9.01mm

长度

10.41mm

汽车标准

否

Vishay IRF820 系列功率 MOSFET，500V 漏源电压，50W 功耗 - IRF820PBF


这款功率MOSFET是一款高压开关晶体管，专为通孔安装而设计，适用于电源转换和控制电路。它作为一种N沟道增强型器件运行，用于在电子系统中对高压负载进行开关或放大，同时符合RoHS要求。

特性和优点：


• 500V 漏源额定值可实现高压开关能力
• 50W功耗支持持续功率处理
• 2.5A 持续漏极电流，可实现中等负载的导通
• 3Ω最大导通电阻，可降低轻载条件下的导通损耗
• 24nC典型栅极电荷，可实现合理的开关速度控制
• 工作温度范围为-55°C 至 150°C，适用于广泛的热环境

应用


• 适用于 SMPS 初级侧开关级
• 适用于高压灯和加热器控制器
• 与分立式电机驱动前端配合使用，适用于小电流电机
• 可用于业余爱好者的高压电源
• 用于需要坚固耐用的通孔型零件的实验室台架测试装置

它采用什么封装和安装方式？


该器件采用TO-220AB封装，配置为通孔安装，具有三个引脚，便于PCB连接和散热。

为避免损坏，必须遵守哪些栅极电压限制？


栅源电压在任何极性下均不得超过20V，以防止栅氧化层承受应力并导致潜在故障。

正向电压规格对于其在电路中的使用有何影响？


指定的正向电压为1.6V，代表着在规定测试条件下导通时的典型压降，在热计算和效率计算中必须予以考虑。

此元件是否适用于汽车极端温度环境？


它能够耐受 -55°C 至 150°C 的温度，但并未通过车规级认证。

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