制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=18 A, 3针, TO-220, IRF640系列

RS 库存编号:: 541-0452
制造商零件编号:: IRF640PBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=18 A, 3针, TO-220, IRF640系列

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250 - 450	RMB8.549	RMB427.45
500 - 950	RMB8.467	RMB423.35
1000 - 2450	RMB8.383	RMB419.15
2500 +	RMB8.301	RMB415.05

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presentation

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=18 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

RS 库存编号: 541-0014

个

RMB10.96

(不含税)

RMB12.38

(含税)

RS 库存编号:: 541-0452
制造商零件编号:: IRF640PBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	18A
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	IRF640
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	180mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	125W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	70nC
	最高工作温度	150°C
	宽度	4.7mm
	标准/认证	No
	长度	10.41mm
	高度	9.01mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 18A
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 IRF640
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 180mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 125W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 70nC
	最高工作温度 150°C
	宽度 4.7mm
	标准/认证 No
	长度 10.41mm
	高度 9.01mm
	汽车标准否

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N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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