Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 18 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF640PBF, IRF640系列
- RS 库存编号:
- 541-0452
- 制造商零件编号:
- IRF640PBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB8.382 | RMB419.10 |
| 250 - 450 | RMB8.30 | RMB415.00 |
| 500 - 950 | RMB8.22 | RMB411.00 |
| 1000 - 2450 | RMB8.139 | RMB406.95 |
| 2500 + | RMB8.059 | RMB402.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 541-0452
- 制造商零件编号:
- IRF640PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | IRF640 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 180mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 70nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.7 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 IRF640 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 180mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 70nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 9.01mm | ||
长度 10.41mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.7 mm | ||
汽车标准 否 | ||