Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=9.2 A, 3针, TO-263, IRFS9N60A系列

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包装方式：
RS 库存编号:
542-9995
制造商零件编号:
IRFS9N60APBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

9.2A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

IRFS9N60A

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

750mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

49nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

170W

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

高度

4.83mm

标准/认证

RoHS

宽度

9.65mm

长度

10.67mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


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