Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=5.6 A, 3针, TO-263, IRF系列

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包装方式：
RS 库存编号:
543-1645
制造商零件编号:
IRF510SPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

5.6A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

IRF

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

540mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

3.7W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.3nC

正向电压 Vf

2.5V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

175°C

长度

10.67mm

高度

4.83mm

宽度

4.83mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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