Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=5 A, 3针, TO-263, IRF830A系列

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包装方式：
RS 库存编号:
650-4110
制造商零件编号:
IRF830ASPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-263

系列

IRF830A

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.4Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

74W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

宽度

9.65mm

长度

10.67mm

高度

4.83mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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