Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=400 V, 10 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF740S系列

RS 库存编号:: 178-0832
制造商零件编号:: IRF740SPBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=400 V, 10 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF740S系列

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RS 库存编号:: 178-0832
制造商零件编号:: IRF740SPBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	10A
	最大漏源电压 Vd	400V
	系列	IRF740S
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	550mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最大功耗 Pd	125W
	正向电压 Vf	2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	10.67mm
	宽度	9.65mm
	标准/认证	RoHS
	高度	4.83mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 10A
	最大漏源电压 Vd 400V
	系列 IRF740S
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 550mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最大功耗 Pd 125W
	正向电压 Vf 2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 10.67mm
	宽度 9.65mm
	标准/认证 RoHS
	高度 4.83mm
	汽车标准否

Vishay IRF740S系列功率MOSFET,400 V最大漏源电压,10 A最大连续漏电流 - IRF740SPBF

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为工业电子系统中的表面贴装应用而设计。它可用作开关晶体管,能够在严苛环境中处理大量电压和电流,适用于需要紧凑型板载电源开关的应用。

特性和优点：

• 400V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 10A 连续电流支持中等功率负载 • 125W 功耗可实现持久的热处理 • 550 mΩ Rds(on)可减少低至中等电源电路中的传导损耗 • 63nC 典型栅极电荷提供可预测的驱动要求 • 最高工作温度为150°C,适用于高温环境

应用

• 适用于工业电机驱动开关级 • 适用于高压电源转换器和逆变器 • 用于自动化设备的辅助电源 • 可用于固态继电器和开关模块 • 与需要 TO-263 安装的表面贴装组件配合使用

它在 PCB 上需要哪种安装方式?

它采用TO-263表面贴装封装,带三个引脚,设计用于板级焊接和导热 PCB 铜区域。

设计人员必须遵守哪些栅极电压限制?

栅极到源极电压不得超过 20 V,以避免栅极氧化应力和潜在设备故障。

在设计中应如何处理热管理?

设计人员应在PCB上使用足够的铜面积或散热片,在指定条件下可耗散高达125W的功率,并将接点温度保持在150°C以下。

它在运行过程中可承受的环境温度范围是多少?

该设备的额定工作温度低至-55°C和高达150°C,可在宽环境温度范围内使用。

哪些特性会影响开关驱动尺寸?

典型栅极电荷为 63nC,可确定栅极驱动器所需的驱动电流和转换时间,以实现所需的切换速度。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 10 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF740S系列

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