Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

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688-7216
Distrelec 货号:
304-35-447
制造商零件编号:
IRLB4030PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

180A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

16V

最大功耗 Pd

370W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

87nC

最高工作温度

175°C

宽度

4.83mm

标准/认证

No

高度

9.02mm

长度

10.67mm

汽车标准

否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，100V 最大漏源电压，180A 最大连续漏极电流 - IRLB4030PBF


这款 N 通道增强型 MOSFET 是一款高电流电源开关，采用 TO-220 封装，专为通孔安装而设计，适用于苛刻的功率转换和开关应用。它可在宽热范围内工作，并支持栅极驱动控制，可在需要低导通电阻和强大连续电流能力的 DC 电路中实现高效传导。

特性和优点：


• 极低导通电阻 4mΩ，可减少传导损耗
• 可处理 180A 的连续漏极电流，适用于高负载应用
• 额定漏源电压为 100V，适用于中压系统
• 最大功耗为 370W，可实现持续的热负载
• 典型栅极电荷为 87nC，可实现可预测的开关行为
• 栅源耐受电压高达 16V，确保稳固的驱动余量

应用


• 适用于高电流电机驱动级
• 适用于电源的同步整流
• 与电池管理和 DC-DC 转换器配合使用
• 可用于工业逆变器开关
• 适用于电信配电架

它在运行过程中可承受哪些极端温度？


该设备的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，可在热源附近的冷启动条件和高温环境中使用。

它应如何安装以有效管理热量？


它采用 TO-220 通孔封装，可通过螺栓牢固连接到散热器，从封装片直接导热以增强冷却效果。

哪些开关特性会影响栅极驱动器选择？


驱动电路的典型总栅极电荷为 87nC，必须为所需的转换时间提供足够的峰值电流，同时管理开关损耗。

主体和通道的行为如何影响电路拓扑选择？


作为一款 N 通道增强型设备，当栅极相对于源极施加正向驱动时，它便会导通，因此适用于低边开关和同步拓扑结构。

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