onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 260 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
690-0127
制造商零件编号:
2N7002ET
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

260 mA

最大漏源电压

60 V

封装类型

SOT-23

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

2.5 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

300 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+150 °C

长度

2.9mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

0.81 nC @ 5 V

宽度

1.3mm

高度

0.94mm

最低工作温度

-55 °C

N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor


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MOSFET 晶体管，ON Semiconductor