Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=57 A, 3针, TO-220, SUP57N20-33系列

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包装方式：
RS 库存编号:
708-5014
制造商零件编号:
SUP57N20-33-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

57A

最大漏源电压 Vd

200V

系列

SUP57N20-33

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

33mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

90nC

最大功耗 Pd

3.75W

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4.7mm

长度

10.41mm

高度

9.01mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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