制造商编号

Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 1.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2392BDS-T1-GE3, SI系列

RS 库存编号:: 279-9893
制造商零件编号:: SI2392BDS-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 1.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2392BDS-T1-GE3, SI系列

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RS 库存编号:: 279-9893
制造商零件编号:: SI2392BDS-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	1.8A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	SOT-23
	系列	SI
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.149Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	7.1nC
	最大功耗 Pd	1.1W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 1.8A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 SOT-23
	系列 SI
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.149Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.1nC
	最大功耗 Pd 1.1W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SI2392BDS-T1-GE3

Vishay MOSFET 是 N 通道 MOSFET，其中的晶体管由称为硅的材料制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

完全无铅 (Pb) 的器件

极低 RDS x Qg 品质因数

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 1.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2392BDS-T1-GE3, SI系列

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