Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=21 mA, 3针, SOT-23, SIPMOS系列

RS 库存编号:: 753-2832
制造商零件编号:: BSS127H6327XTSA2
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=21 mA, 3针, SOT-23, SIPMOS系列

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RS 库存编号:: 753-2832
制造商零件编号:: BSS127H6327XTSA2
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	21mA
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	SIPMOS
	包装类型	SOT-23
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	600Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.65nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	500mW
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	正向电压 Vf	0.82V
	最高工作温度	150°C
	长度	2.9mm
	宽度	1.3mm
	标准/认证	No
	高度	1mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 21mA
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 SIPMOS
	包装类型 SOT-23
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 600Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.65nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 500mW
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	正向电压 Vf 0.82V
	最高工作温度 150°C
	长度 2.9mm
	宽度 1.3mm
	标准/认证 No
	高度 1mm
	汽车标准 AEC-Q101

Infineon SIPMOS 系列 MOSFET，600V 漏源电压，21mA 连续漏极电流 - BSS127H6327XTSA2

该MOSFET是一款高压N沟道晶体管，专为紧凑型电子系统的表面贴装开关而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛环境，并且适合需要具有受控栅极驱动特性、坚固耐用且小尺寸器件的应用。

特性和优点：

• 600V漏源耐压，提供高压开关能力
• 0.65nC典型栅极电荷可实现更快速、更低损耗的开关操作
• 600Ω最大导通电阻，可降低高压电路中的关态泄漏
• 21mA连续漏极电流，适用于低电流控制功能
• 最大功耗500mW，可在紧凑布局中有效管理热负载
• VGS额定值为20V，与常见的栅极驱动电压兼容

应用

• 适用于高压电源转换拓扑结构
• 适用于汽车级传感器和辅助电路
• 用于紧凑型开关调节器和反激级应用
• 可用于保护电路的栅级信号转换
• 适用于小型电源管理模块

它采用哪种封装和安装方式进行PCB组装？

它采用SOT-23封装，适用于表面贴装和回流焊。

它在运行过程中可承受哪些极端温度？

该器件规定的工作温度范围为-55°C至150°C，支持恶劣环境中的宽幅温度变化。

有多少路电气连接可用于电路集成？

该元件采用三针配置，兼容典型分立MOSFET布局。

该器件是否符合汽车应用的要求？

它符合AEC-Q101标准，表明适用于汽车电子用途。