Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=330 mA, 3针, SOT-23, SIPMOS系列

RS 库存编号:: 753-2857
制造商零件编号:: BSS83PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=330 mA, 3针, SOT-23, SIPMOS系列

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RS 库存编号:: 753-2857
制造商零件编号:: BSS83PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	330mA
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SOT-23
	系列	SIPMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	2.38nC
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	最大功耗 Pd	360mW
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	-1.1V
	最高工作温度	150°C
	长度	2.9mm
	高度	1mm
	宽度	1.3mm
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 330mA
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SOT-23
	系列 SIPMOS
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.38nC
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	最大功耗 Pd 360mW
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf -1.1V
	最高工作温度 150°C
	长度 2.9mm
	高度 1mm
	宽度 1.3mm
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Infineon SIPMOS系列 MOSFET，最大漏源电压60V，最大漏源电阻 3Ω - BSS83PH6327XTSA1

该P沟道MOSFET是一款表面贴装型开关晶体管，专为电子组件的紧凑型功率控制应用而设计。它作为增强型器件运行，适用于在要求宽工作温度范围及符合车规级标准的系统中进行小电流开关操作。

特性和优点：

• 60V 漏源电压额定值，支持更高电压的开关应用
• 导通状态下，导通电阻最高可达3Ω，降低了导通损耗
• 330mA 连续漏极电流支持小信号切换
• 典型栅极电荷为2.38nC，可实现更快的栅极转换
• 最大栅源电压为20V，支持灵活的栅极驱动电平
• AEC-Q101认证确保其在汽车电子领域的适用性

应用

• 适用于电池管理和负载断开电路
• 适用于汽车传感器接口中的信号切换
• 用于低功率稳压器和电源导轨开关级应用
• 可用于紧凑型设备的反极性保护
• 适用于表面贴装原型和密集型PCB布局

该器件在实际使用中能承受怎样的极端温度？

其规定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在冷启动和高温环境中使用，且基本功能不会降额。

封装对于板级组装和布局有何影响？

SOT-23表面贴装封装结构紧凑，适合自动化贴装，可实现紧密的元件间距，并简化对PCB的热传导。

在正常条件下，设计人员应预期多大的功耗？

该器件的最大功耗为360mW，在热计算和散热焊盘设计中应予以考虑，以防止过热。

栅极电荷对于开关性能有何影响？

典型栅极电荷为2.38nC，可将所需的栅极驱动能量降至最低，从而提高开关速度并降低驱动电流，适用于低频或脉冲应用。