DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 11 A, U-DFN2020, 贴片安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 770-5266
- 制造商零件编号:
- DMN1019UFDE-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥29.64
(不含税)
¥33.49
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月23日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | RMB2.964 | RMB29.64 |
| 750 - 1490 | RMB2.873 | RMB28.73 |
| 1500 + | RMB2.79 | RMB27.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 770-5266
- 制造商零件编号:
- DMN1019UFDE-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 封装类型 | U-DFN2020 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 41 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大功率耗散 | 2.17 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.05mm | |
| 长度 | 2.05mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 50.6 nC @ 8 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 0.58mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11 A | ||
最大漏源电压 12 V | ||
封装类型 U-DFN2020 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 41 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 0.8V | ||
最大功率耗散 2.17 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.05mm | ||
长度 2.05mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 50.6 nC @ 8 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 0.58mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Diodes Inc.