onsemi N型, P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=880 mA, 6针, SC-88

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包装方式：
RS 库存编号:
780-0614
制造商零件编号:
NTJD4158CT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型, P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

880mA

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SC-88

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

500mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.65V

最大栅源电压 Vgs

-20, -12, +12, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.9nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

270mW

最高工作温度

+150°C

晶体管配置

隔离式

高度

1mm

宽度

1.35mm

标准/认证

No

长度

2.2mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

双 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor


NTJD1155L 是一种双通道 MOSFET 。该 MOSFET 在单个封装中同时采用 P 和 N 通道，非常适用于低控制信号，低电池电压和高负载电流。N 通道具有内部 ESD 保护功能，可以由低至 1.5V 的逻辑信号驱动，而 P 通道则设计用于负载切换应用。P 信道还采用半沟道技术设计。

MOSFET 晶体管，ON Semiconductor


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