制造商编号

onsemi P型, N型沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=8 V, Id=1.3 A, 6针, SC-88

RS 库存编号:: 780-0605
制造商零件编号:: NTJD1155LT1G
制造商:: onsemi

onsemi P型, N型沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=8 V, Id=1.3 A, 6针, SC-88

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RS 库存编号:: 780-0605
制造商零件编号:: NTJD1155LT1G
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	P型, N型
	产品类型	功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	1.3A
	最大漏源电压 Vd	8V
	包装类型	SC-88
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	320mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	-0.8V
	最大功耗 Pd	400mW
	最大栅源电压 Vgs	8V
	晶体管配置	N+P 负载开关
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	No
	宽度	1.35mm
	长度	2.2mm
	高度	1mm
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 P型, N型
	产品类型功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 1.3A
	最大漏源电压 Vd 8V
	包装类型 SC-88
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 320mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf -0.8V
	最大功耗 Pd 400mW
	最大栅源电压 Vgs 8V
	晶体管配置 N+P 负载开关
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 No
	宽度 1.35mm
	长度 2.2mm
	高度 1mm
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

特点和优势：

• ESD 保护

•超低 RDS P 通道负载开关

• V 范围为 1.8 – 8.0V

•开 / 关范围– 1.5 至 8.0V

• SOT363 封装

•驱动器负载高达 1.3A ，电压为 8V

应用：

•高侧负荷开关，带液位移

•移动电话

•数码相机

• PDA 的

•媒体播放器

双 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor

NTJD1155L 是一种双通道 MOSFET 。该 MOSFET 在单个封装中同时采用 P 和 N 通道，非常适用于低控制信号，低电池电压和高负载电流。N 通道具有内部 ESD 保护功能，可以由低至 1.5V 的逻辑信号驱动，而 P 通道则设计用于负载切换应用。P 信道还采用半沟道技术设计。

MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

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