Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1.5 A, 4针, SOT-223, IRFL系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 10 件）*

RMB103.93

(不含税)

RMB117.44

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 10 件将从其他地点发货
  • 另外 2,450 件在 2026年9月28日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
10 - 620RMB10.393RMB103.93
630 - 1240RMB10.087RMB100.87
1250 +RMB9.778RMB97.78

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
787-9033
制造商零件编号:
IRFL110TRPBF
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.5A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

IRFL

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

540mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

2.5V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.3nC

最大功耗 Pd

3.1W

最高工作温度

150°C

长度

6.7mm

标准/认证

No

宽度

3.7mm

高度

1.8mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


相关链接