Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=100 V, Id=28 A, 8针, PowerPAK 1212-8, SiS892ADN系列

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787-9399
制造商零件编号:
SIS892ADN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

28A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

PowerPAK 1212-8

系列

SiS892ADN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.033Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

52W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.1nC

正向电压 Vf

0.8V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

宽度

3.4mm

长度

3.4mm

标准/认证

RoHS

高度

1.12mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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