Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=9 A, 8针, DFN, PMPB11EN系列

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包装方式：
RS 库存编号:
798-2779
制造商零件编号:
PMPB11EN,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

PMPB11EN

包装类型

DFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

14.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13.7nC

最大功耗 Pd

12.5W

最高工作温度

150°C

宽度

2.1mm

标准/认证

No

长度

2.1mm

高度

0.65mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET ，高达 30V


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


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