制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=14 A, 3针, TO-263, SiHF530S系列

RS 库存编号:: 815-2613
制造商零件编号:: SIHF530STRR-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=14 A, 3针, TO-263, SiHF530S系列

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RS 库存编号:: 815-2613
制造商零件编号:: SIHF530STRR-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	14A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-263
	系列	SiHF530S
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	160mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	88W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	26nC
	正向电压 Vf	2.5V
	最高工作温度	175°C
	高度	4.83mm
	长度	10.67mm
	宽度	9.65mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 14A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-263
	系列 SiHF530S
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 160mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 88W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC
	正向电压 Vf 2.5V
	最高工作温度 175°C
	高度 4.83mm
	长度 10.67mm
	宽度 9.65mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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