Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 8.1 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHF634S-GE3, SiHF634S系列

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包装方式:
RS 库存编号:
815-2632
制造商零件编号:
SIHF634S-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.1A

最大漏源电压 Vd

250V

系列

SiHF634S

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

450mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

74W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

41nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

10.67mm

高度

4.83mm

宽度

9.65 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor