Infineon P型沟道 P型 MOSFET, Vds=30 V, 39.5 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, BSZ180P03NS3EGATMA1, BSZ系列
- RS 库存编号:
- 259-1486
- 制造商零件编号:
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥20.16
(不含税)
¥22.78
(含税)
有库存
- 4,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB2.016 | RMB20.16 |
| 50 - 490 | RMB1.956 | RMB19.56 |
| 500 - 990 | RMB1.917 | RMB19.17 |
| 1000 - 2490 | RMB1.878 | RMB18.78 |
| 2500 + | RMB1.841 | RMB18.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1486
- 制造商零件编号:
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 39.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 系列 | BSZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18Ω | |
| 通道模式 | P | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 39.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TSDSON | ||
系列 BSZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 18Ω | ||
通道模式 P | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 高创新 Optimos 系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计的关键规格中的最高质量和性能要求,如接通状态电阻和优势特性数字。
增强模式
常规电平、逻辑电平或超级逻辑电平
Avalanche 等级
无铅引线镀层符合 RoHS 标准