Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 8针, TDSON, OptiMOS P系列

RS 库存编号:: 825-9266
Distrelec 货号:: 304-44-409
制造商零件编号:: BSC060P03NS3EGATMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 8针, TDSON, OptiMOS P系列

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RS 库存编号:: 825-9266
Distrelec 货号:: 304-44-409
制造商零件编号:: BSC060P03NS3EGATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	TDSON
	系列	OptiMOS P
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	9.6mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	61nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	83W
	最大栅源电压 Vgs	-25V, +25V
	正向电压 Vf	-1.1V
	最高工作温度	150°C
	长度	6.35mm
	高度	1.1mm
	宽度	5.35mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 TDSON
	系列 OptiMOS P
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 9.6mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 83W
	最大栅源电压 Vgs -25V, +25V
	正向电压 Vf -1.1V
	最高工作温度 150°C
	长度 6.35mm
	高度 1.1mm
	宽度 5.35mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Infineon OptiMOS P系列MOSFET，30V最大漏源电压，100A最大连续漏极电流 - BSC060P03NS3EGATMA1

该MOSFET是一款功率开关晶体管，专为表面贴装组件的大电流、低电压应用而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于严苛环境，并提供强大的连续电流能力，同时保持紧凑封装，适用于薄型电路板设计。

特性和优点：

• 持续漏极电流为100A，可实现持续的大电流开关操作
• 30V漏源极额定电压，支持低压功率级应用
• 9.6mΩ导通电阻，可减少导通损耗和发热
• 83W最大功耗，可实现显著的功率处理能力
• 61nC 典型栅极电荷，可实现受控的开关动态特性
• 25V栅源极限电压为栅极驱动提供充足的裕量，从而确保鲁棒性

应用

• 适用于电源的同步降压转换器
• 非常适合需要大电流处理的DC电机驱动
• 用于服务器和电信设备的负载点稳压器
• 可用于储能领域的电池管理系统
• 适用于紧凑型PCB的大电流负载开关

它在运行过程中可承受的热量范围是多少？

其指定工作温度范围为-55°C至150°C，可在温度变化剧烈的环境中使用。

它采用哪种封装和安装方式进行PCB组装？

该器件采用 8 针 TDSON 封装，专为表面贴装布置和薄型组装设计。

该通道类型和工作模式是否适用于常见的电源拓扑结构？

它采用增强型P沟道，适用于需要具有受控导通特性的P沟道器件的设计。

该元件的紧凑程度如何？是否适合空间受限的电路板布局？

封装高度为 1.1mm，占地面积支持紧凑布置，同时保持高电流能力。