Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=25 A, 3针, TO-263, OptiMOS 3系列
- RS 库存编号:
- 826-9204
- 制造商零件编号:
- IPB600N25N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPB600N25N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 宽度 | 9.45mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.57mm | ||
长度 10.31mm | ||
宽度 9.45mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 3 系列 MOSFET，250V 漏源电压，25A 连续漏极电流 - IPB600N25N3GATMA1
这款 MOSFET 是一款高压 N 通道开关晶体管，专为苛刻电子系统的功率转换和开关任务而设计。它可在非常宽的温度范围内运行，并配置为表面安装，为需要稳健功率处理和栅极控制的组件提供紧凑封装，适用于热管理。
特性和优点：
• 250V 漏源额定值可实现高压开关能力
• 60mΩ 导通电阻可减少传导损耗并提高效率
• 25A 连续漏极电流支持持续的高负载运行
• 136W 功耗可在电路中实现显著的热处理
• 22nC 栅极电荷支持可预测的开关能量和驱动设计
• 20V 栅源限制支持标准栅极驱动电压余量
• 60mΩ 导通电阻可减少传导损耗并提高效率
• 25A 连续漏极电流支持持续的高负载运行
• 136W 功耗可在电路中实现显著的热处理
• 22nC 栅极电荷支持可预测的开关能量和驱动设计
• 20V 栅源限制支持标准栅极驱动电压余量
应用
• 适用于高压 SMPS 初级开关级别
• 适用于工业电机驱动逆变器桥臂
• 用于电信电力系统中的 DC-DC 转换器
• 可用于电池管理和充电器拓扑结构
• 用于表面安装板上的通用电源开关
• 适用于工业电机驱动逆变器桥臂
• 用于电信电力系统中的 DC-DC 转换器
• 可用于电池管理和充电器拓扑结构
• 用于表面安装板上的通用电源开关
它在运行过程中可承受的热量范围是多少？
其额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C，可在极端温度变化的环境中使用。
哪种封装方式便于组装和传热？
它采用 TO-263 表面安装封装，便于焊接安装，并提供大型导热垫，用于电阻散热。
该设备在栅极驱动设计中的表现如何？
典型栅极电荷为 22nC，可为栅极驱动器尺寸提供可量化的开关能量，并估计开关损耗。
在负载条件下，设计人员应预期具有哪些传导性能？
最大指定漏源电阻为 60mΩ，设计人员可据此计算高达 25A 额定连续电流路径的传导损耗。
相关链接
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