Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=99 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

RS 库存编号:: 830-3372
制造商零件编号:: IRLR3636TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=99 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 830-3372
制造商零件编号:: IRLR3636TRPBF
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	99A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	TO-252
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	8.3mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	143W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	49nC
	最大栅源电压 Vgs	16V
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	宽度	6.22mm
	长度	6.73mm
	高度	2.39mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 99A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 TO-252
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 8.3mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 143W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49nC
	最大栅源电压 Vgs 16V
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	宽度 6.22mm
	长度 6.73mm
	高度 2.39mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，60V 最大漏源电压，99A 最大连续漏极电流 - IRLR3636TRPBF

Infineon 的这款 N 通道增强型 MOSFET 是一款功率晶体管，专为表面安装电路中的高电流开关而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于需要稳健漏源电压处理和大量连续电流容量的应用。该设备采用 TO-252 封装，适用于紧凑型板级安装，栅极额定值支持典型栅极驱动电压。

特性和优点：

• 最大连续漏极电流为 99A，可实现高电流开关
• 最大漏源电压为 60V，支持中压系统
• 极低的 Rds(on) 8.3mΩ 可降低导通损耗
• 最大功耗为 143W，可实现持续的高功率运行
• 典型栅极电荷为 49nC，可实现可预测的开关动态
• 正向电压为 1.3V，可最大限度减少负载下的压降

应用

• 适用于电动执行器中的电机驱动器级
• 适用于高电流 DC-DC 转换器和调节器
• 与电池管理和配电模块配合使用
• 可用于电源的同步整流
• 适用于变速驱动器中的工业开关

设计过程中必须遵守哪些栅极电压限制？

该设备的栅源驱动电压不得超过 16V 额定值，以避免栅极氧化层应力并确保可靠的开关。

它在运行过程中可承受哪些热条件？

该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，可在苛刻的热环境中使用，并具备适当的热管理功能。

封装对电路板布局和安装有何影响？

TO-252 表面安装形式为 PCB 提供紧凑封装和热路径，便于实现低电感连接和高效传热。