onsemi 单 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 20 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, FCA20N60F, SuperFET系列
- RS 库存编号:
- 865-1230
- 制造商零件编号:
- FCA20N60F
- 制造商:
- onsemi
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- FCA20N60F
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-3PN | |
| 系列 | SuperFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30, -30V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 16.2mm | |
| 高度 | 20.1mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-3PN | ||
系列 SuperFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30, -30V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 16.2mm | ||
高度 20.1mm | ||
宽度 5mm | ||
SuperFET® 和 SuperFET® II N 沟道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
Fairchild 新增 SuperFET® II 高压功率 MOSFET 系列，采用超级结技术。该系列在服务器、通信、计算、工业电源、UPS/ESS 光伏逆变器、照明应用等交直流开关电源应用中，提供了业界领先的稳健体二极管性能，满足高功率密度、系统效率和可靠性的要求。
通过采用先进的电荷平衡技术，设计人员能够实现更高效、更具成本效益和高性能的解决方案，这些方案占用更少的电路板空间并提高了可靠性。
MOSFET 晶体管，ON Semi
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ON Semi MOSFET 器件通过降低电压尖峰与过冲、减少结电容及反向恢复电荷、无需额外外部元件等优势，提供卓越的设计可靠性，确保系统持续稳定运行更长时间。