IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 550 A, SMPD, 表面安装, 24引脚, MMIX1T550N055T2

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制造商零件编号:
MMIX1T550N055T2
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

550A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

SMPD

安装类型

表面

引脚数目

24

最大漏源电阻 Rd

1.3mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

830W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

595nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

5.7mm

长度

25.25mm

宽度

23.25 mm

标准/认证

No

汽车标准

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列


MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备