Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=2.9 A, 4针, SOT-223, SIPMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
892-2236
Distrelec 货号:
304-44-417
制造商零件编号:
BSP613PH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.9A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

SIPMOS

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

130mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

10.8W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

40mm

宽度

40mm

高度

1.5mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon SIPMOS系列MOSFET，60V最大漏源电压，2.9A最大连续漏极电流 - BSP613PH6327XTSA1


该MOSFET是一款P沟道增强型晶体管，专为严苛环境中的表面贴装功率开关应用而设计。它为汽车和工业系统提供受控的门极驱动开关操作，兼具中等电流处理能力和温度耐受性，以支持高温运行和紧凑的电路板布局。

特性和优点：


• 60V 漏源额定值可实现中等电压开关
• 2.9A的持续漏极电流，支持稳定的负载输出
• 最大130mΩ的导通电阻，可降低导通损耗
• 22nC典型栅极电荷，简化了栅极驱动装置的选型
• 10.8W最大功耗，支持持续功率处理
• 工作范围为-55°C至175°C，适用于极端温度环境

应用


• 适用于汽车电子领域的负载切换
• 适用于工业高温控制电路
• 与紧凑型电源稳压器配合使用，用于表面贴装设计
• 可用于极性保护和反向电流保护电路
• 用于中低电流电池管理功能

组装需要采用哪种安装方式？


它采用SOT-223 4引脚表面贴装封装，兼容标准SMT回流焊工艺和常见的PCB布局焊盘。

设计人员应遵守哪些栅极电压限制？


栅源极间允许的最大电压为 20V，因此栅极驱动电路必须保持在此阈值范围内，以避免器件承受过大应力。

正向电压对于系统设计有何影响？


约1.1V的正向电压可用于计算导通期间的功率损耗，并有助于确定实际应用中的热管理需求。

该器件是否适用于汽车级项目？


它符合AEC-Q101标准，因此适用于多种汽车电子模块应用。

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